瑞萨电子（Renesas Electronics）近日宣布，其基于氮化镓（GaN）的电源解决方案将成为英伟达（Nvidia）800V直流电源架构的强力后盾，为下一代更智能、更迅捷的人工智能基础设施注入澎湃动力。随着数据中心功耗即将突破数百兆瓦大关，这项合作恰似为电力系统装上了"涡轮增压器"。GaN FET器件犹如电力世界的"短跑健将"，凭借其快速开关特性和低能量损耗优势，在高压领域展现出惊人潜力。这些功率器件不仅能构建机架内的800V直流母线，像精密的"血管网络"般显著降低配电损耗，还能巧妙规避对笨重母线的依赖，同时完美兼容现有的48V元件生态系统。瑞萨的GaN解决方案宛若一把"万能钥匙"，可优雅地实现48V至400V工作电压的高效转换，更可通过"叠罗汉"式设计将功率提升至800V——基于LLC直流变压器拓扑结构的转换器，其效率峰值可达惊人的98%。在前端AC/DC环节，瑞萨创新采用双向GaN开关技术，如同给整流器装上了"智能开关"，既精简了设计复杂度，又让功率密度实现质的飞跃。配合REXFET MOSFET、驱动器及控制器组成的"黄金搭档"，这套方案为新型DC/DC转换器提供了完整的硬件拼图。"人工智能正以超新星爆发的速度重塑产业版图，"瑞萨电力高级副总裁Zaher Baidas形象地指出，"我们的电力基础设施必须像猎豹般敏捷进化，才能跟上这场能源需求的狂欢节。"通过整合GaN FET、MOSFET、控制器和驱动器的全系列产品，瑞萨正在为AI未来构建高密度的"能源方舟"，不仅提供卓越的性能与效率，更预留了无限可能的扩展空间。为深入阐释技术细节，瑞萨特别发布白皮书，系统剖析其支持800V配电的创新拓扑结构，犹如为行业绘制了一幅通往AI电力革命的精密路线图。

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