半导体制造巨头三星计划将其位于得克萨斯州泰勒市工厂的2纳米芯片产能，扩充至每月6000片晶圆。三星泰勒厂区是该公司推进美国本土芯片生产布局的核心项目，厂区内的第一座工厂Taylor 1预计将在今年年底前正式投入运营。

与台积电不同——后者位于亚利桑那州的工厂计划在2027年底前实现3纳米芯片量产，到2030年底前才推进2纳米芯片生产——三星则计划让泰勒1号晶圆厂在2026年底前就正式投产。这座工厂将搭载先进的极紫外（EUV）芯片制造设备，用于生产2纳米工艺芯片。

2纳米芯片是当前半导体行业的最前沿技术。三星、台积电和英特尔都已实现该工艺芯片的量产，其中台积电在全球2纳米芯片市场中占据最高的市场份额，是行业绝对领导者。

三星和台积电的2纳米产品都采用了与前代制程完全不同的全新晶体管设计，二者均基于全栅场效应晶体管（GAAFET）技术路线开发；其中三星将自家的这项技术命名为多桥沟道场效应晶体管（MBCFET），该技术采用纳米片而非纳米线作为沟道材料，整个沟道被栅极完全包裹，以此实现对电流的精准控制。

据韩国ZDNet的最新报道，三星正计划进一步扩充其得克萨斯州泰勒工厂的2纳米芯片产能。相关细节显示，该公司已下达新一批生产设备订单，投产后将让这座工厂的2纳米工艺月产能新增6000片晶圆。

这座工厂预计将在2026年底前正式投入运营，报道同时指出，到2027年下半年，泰勒厂区的2纳米芯片月产能将达到2万片的规模。本次新增的6000片/月2纳米产能订单，是在三星此前的采购计划基础上追加的——此前的采购目标是实现1万片/月的产能。

ZDNet的消息源透露，通过本次最新投资，再叠加三星预留的试产线产能，泰勒厂区最终将达成其2万片/月的最大设计产能目标。