【韩国半导体专家称中国半导体技术与韩国相差2-5年】

7月18日，据韩国半导体业界透露，韩国对外经济政策研究院(KIEP)最近发布了《中国半导体国产化推进现状和启示》报告书。

该报告书显示，中国的半导体制造竞争力与全球领先企业NAND闪存有2年的差距、和DRAM则有5年的差距，和全世界顶尖的晶圆代工(Logic半导体制造)则有5年左右的技术差距。

在NAND领域，中国代表性存储器半导体制造企业YMTC(扬子存储器技术)目前正在批量生产128层第6代。 相反，三星电子正在批量生产236层第8代、SK海力士正在批量生产176层、美国美光则正在批量生产232层的闪存芯片。

以DRAM为例，中国CXMT正在批量生产第一代19纳米芯片。与此相反，三星电子正在批量生产第四代（1a·14nm）、SK海力士正在批量生产第四代（1a）、美国美光也在批量生产第四代（1a）。

Foundry方面，三星电子和台湾TSMC分别批量生产3nm，而中国SMIC则在批量生产14nm。

中国大部分半导体制造设备都依赖于海外企业，但随着中国政府从稳定半导体供应网的角度出发，增加对半导体国产化的投资，去年中国的半导体设备的国产化率大幅提高。

据国际半导体产业协会(SEMI)透露，2012年至2022年中国半导体设备市场年均增长27%。2022年中国半导体设备国产化率为35%，比2021年上升了14个百分点。