听说这个账号之前曾准确爆料，这次是否也属实呢？据他透露，中国的EUV光刻机样机已经投入上线调试。由于国产EUV的三大核心部件技术指标均达到或超过ASML最先进的光刻机水平，因此我们不会像台积电那样从7纳米、5纳米、3纳米再到2纳米，而是直接跨足3纳米。也就是说，中国将在两年后实现国产芯片的3纳米量产。如果在2024年能有更多惊喜那就更好了。
个人认为目前光刻机技术已接近极限，超越或持平是必然趋势，但进展速度可能不应该如此之快。这个消息要么是虚构的，要么只是实验室阶段，尚无法低成本实现量产。我猜测可能还需要5年的时间才能实现。
看图二，去年的报道称技术差距需要20年，而今年的说法缩短至3-5年。大家对此有何看法呢？
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