俄罗斯宣称研发出首台光刻机比中国都落后30多年。近日，根据俄罗斯塔斯社报道，

俄罗斯宣称研发出首台光刻机 比中国都落后30多年。近日，根据俄罗斯塔斯社报道，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里-什帕克指出，该设备可确保生产 350纳米的芯片。这对于俄罗斯来说是一件值得骄傲的大事，但俄罗斯的首台光刻机处于什么技术水平呢？ 首先，俄罗斯研发首台光刻机比中国晚了43年。大家都知道，中国芯片业一直为光刻机技术落后于美国而捶胸顿足，但俄罗斯的光刻机技术就更差了，比中国都还差得很远。一个名为《光电工程》的杂志1981年第05期显示，同一年，中国科学院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机，并在1981年研制成功两台样机。这应该是中国第一台能生产纳米级的光刻机。而更早的可称为“中国第一台光刻机”的则是在1971年由清华大学徐端颐教授研制成功的。要按照这台光刻机而来计算，俄罗斯首台光刻机比中国晚了62年. 其次，俄罗斯首台光刻机今年才研发出来，是因为以前俄罗斯根本没去专门研究光刻机。苏联时期，曾选择发展小型电子管而非晶体管和集成电路，这是因为小型电子管在高温、高压、高辐射等极端环境下表现更为可靠，缺点是技术更新太慢，算力极其落后；好处是，这次俄乌战争中，俄罗斯武器不会受美国干扰，且不会出现武器短缺，如果俄罗斯当初选择了晶体管的路线发展，可能俄乌冲突中使用的很多武器和战机都要熄火了，而且，美国没法拿芯片来卡俄罗斯脖子。所以，任何事情都是有利有弊，俄罗斯现在回过头来研发光刻机，确实太晚了，难度巨大，对俄罗斯光刻机技术的前景不可高估。