我国光刻机技术有大突破，可还要保持清醒的头脑，因为我们与荷兰阿斯麦还有近20年的差距。 这几天，工信部一公布我国光刻机实现大突破的消息，几乎全国人都奔走相告、欣喜若狂。 这当然能是好事，可喜可贺。可我们还必须保持十分清醒的头脑，因为我们与世界先进水平相比仍有十分大的差距。 我们这次突破的光刻机仍然是DUV光刻机，就是浸润式的，而不是目前世界上最先进的阿斯麦的EUV光刻机，就是极紫外式的。两者还有很大的代差。 特别是我们的很多人认为套刻8纳米的精度就是直接能生产8纳米的芯片。这可是完全不同的两个概念。 我们这次突破的光刻机实际上比阿斯麦9年前的产品性能还要低些，特别是早在2006年，阿斯麦的套刻精度就已经达到7nm。 这就是说，国产DUV光刻机性能与ASML的技术实际差距将近20年。 所以，在世界最前沿的这块技术阵地上，我们还任重道远，来不得半点的骄傲和麻痹。
用户10xxx11
原子弹别人说一百年也做不出来，不能说2006年的水平，就真的需要20年，中国的优势在于可集中全国之力突破，在全力研发下也许4到5年就可攻破EuV光刻技术
万古刀
阿斯麦是哪一年成立的？我们还落后20年？
用户10xxx96 回复 09-17 10:56
无知者无畏！应该说我们领先5000年？
王袁东
不用你担心的
yy
套刻8纳米的精度，能生产8纳米的芯片不就可以了吗？
mjgfxy
只能说进步了，还是任重道远啊！
angela
科技进步了，也许五六年就突破了，最难的不是技术，是各种材料，想光刻胶，镜片等等，不过我们自己可以造了，说明至少不是全部材料都被卡脖子了，0到1最难，这关我们过去了，1到100也许很快到来
NB
你前进一步别人又已经前进一大步了