根据财联社10月24日报道，我国在芯片技术上竟然做出一个巨大突破！这个突破是北大彭海琳教授团队提出的冷冻电子断层扫描技术，其效果是能够显著提升7nm以下先进制程芯片的良率！想要了解这个技术究竟有多么厉害，这个突破有多么惊人，首先必须要知道光刻机制造芯片的三个核心步骤，这三个核心步骤分别是涂胶、曝光、显影。 涂胶，就是在晶圆上面涂上一层光刻胶。 曝光，就是用光刻机的激光照射这一层光刻胶，被激光照射到的光刻胶，在显影液中就会轻易溶解。 显影，就是用将涂上了光刻胶、且被曝光的晶圆，放进显影液中，让显影液溶解那些被激光照射到的光刻胶。 溶解之后，晶圆上面剩下的光刻胶，就会显露出与芯片电路完全对应的胶膜图案，后续再经过一系列步骤，就可以利用这个胶膜图案，在晶圆上面真正刻下芯片的电路图。 其中“显影”这个步骤，是光刻机制造芯片时最重要的一个步骤之一，因为把曝光过的晶圆放进显影液溶解光刻胶时，很难清晰观测到其内部反应，导致想要制造出精度足够高的胶膜图案非常困难，甚至是需要运气才行。想要制造出有足够良率的先进制程芯片，就必须要克服在“显影”步骤的所面临的这个技术瓶颈。 而这一次的突破，就是在显影方面的突破！北京大学的彭海琳教授团队，创造性的提出将冷冻电子断层扫描技术应用到这个显影步骤中，这个技术强大无比，直接就能够在分子、甚至是原子层面，解析各类液相界面反应，通俗来说，就是能够在“显影”这个步骤，制造出精度更高的胶膜图案。 当胶膜图案精度更高，也就意味着芯片电路更加精准，也就意味能够极大提升7nm以下先进制程芯片的良率！ 由此，就可以知道这个技术的突破，对于我国芯片行业的发展，拥有多么巨大的意义了！ 这绝对是一个超级突破，意味着我们在光刻机制造上，迈出了长足的一步。之前，哈尔滨工业大学研究出的EUV极紫外激光技术，代表着我们在光刻机制造芯片时的三大核心步骤中的“曝光”步骤的突破；现在，北大彭海琳教授团队提出的冷冻电子断层扫描技术，则是代表着我们在光刻机制造芯片时三大核心步骤中的“显影”步骤的突破。 可以说，我们在芯片行业的短板，已经被我们一个接着一个，不断攻克，而且还做得更好！这个进步速度，是非常惊人的！距离真正制造出有足够良率的先进制程芯片，已经不远了！