SiC迎先进封装全新增量，市场反应积极 11.10，晶升古份涨+5.97%； 11.11，天岳先进H古涨+9.31%。 根据我们的SiC深度报告： ?主流算力芯片基本标配CoWoS封装，因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。 ?CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoS interposer的最适宜替代材料。 ??市场需求有望数倍增长 如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC 来推演： 需求： 30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋。 供给： 2025年全球碳化硅衬底（6英寸等效）年产能预计超过300万片。 CoWoS对SiC的需求有望数倍于当前的全球供给总和。 ??受益标的：晶盛机电、晶升古份、天岳先进、三安光电、通威古份、天富能源、华纬科技、宇晶古份等。 风险提示：新技术推进不及预期、行业竞争加剧、地缘政治风险等。 详细内容见《SiC深度（一）先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选》