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我看这次mate80搭载的9030芯片,是DUV光刻机的N+3工艺(N是指14纳

我看这次mate80搭载的9030芯片,是DUV光刻机的N+3工艺(N是指14纳米),工艺制程约6纳米(5.6多些,约6),对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米,这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心,但也很了不起了,大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离,也算是当前国产芯片的顶峰了!

评论列表

用户10xxx14
用户10xxx14 18
2025-11-23 22:11
这个说法有点胡说八道了!14 纳米技术经过了多重曝光而来的成功率能达成90-85%是7纳米技术,再往下探到5-4纳米,其成品率几乎是直线下降的!我个人猜想依旧还是7纳米技术的延伸,最主要是在成品良率和产能方面的提升

蓬莱小道祖0哥从来不看回复 回复 11-24 00:19
都到了85%以上了,还提高啥产能不产能的?

崔宇
崔宇 15
2025-11-23 10:46
意思是euv不突破,n+3已经是极限了?

用户10xxx57 回复 11-24 01:57
目前光刻机物理极限是7nm,3nm、5nm就是个概念,叫等效,看封装和调校

用户10xxx57 回复 11-24 01:58
目前光刻机物理极限是7nm,3nm、5nm就是个概念,叫等效,看封装和调校

VCc
VCc 14
2025-11-23 13:47
狗屁不通
不朽情缘
不朽情缘 12
2025-11-23 14:30
电子垃圾

暗夜 回复 11-24 01:35
豪笑话。。10年前???那时候用的啥进程?28纳米吧???你是想笑死我。

暗夜 回复 11-24 01:36
麻烦你拿个10年前的手机来用用现在的APP。试试有没有现在的手机流畅。。

只有猴子拿手机跑分
只有猴子拿手机跑分 11
2025-11-23 11:48
目前已经足够用了,未来还有很大的进步空间
用户10xxx38
用户10xxx38 9
2025-11-23 11:28
明年这时候5纳米芯片就量产了!

佛山小逗比 回复 11-23 12:07
哪里这么快

用户10xxx38 回复 佛山小逗比 11-23 12:22
拭目以待!

用户10xxx58
用户10xxx58 6
2025-11-23 13:04
都是用ASML的高端DUV光刻机搞得,套刻技术玩到极致的做法。

暗夜 回复 11-23 19:38
没办法。没被制裁的时候国内没发力光刻机。

烟¥花,,乐
烟¥花,,乐 5
2025-11-23 21:32
可以了,慢慢来
遥遥领先
遥遥领先 4
2025-11-23 23:05
狂笑
狂笑 3
2025-11-23 16:21
国产进步就好
用户17xxx96
用户17xxx96 2
2025-11-23 16:06
说的好像很专业,是真的吗
nba1999
nba1999 2
2025-11-23 10:45
有博主是等效于台积电三nm,不知道是不是真的

刘东 回复 11-23 22:50
晶体管密度高不就是等于晶体管数量多么,芯片大小都是差不多的

用户15xxx52 回复 11-23 22:57
这已经是设备极限了,大约6nm水平,科普下,台积电7nm密度大约1亿/mm,5nm大约1.7亿/mm,中芯国际n+3大约1.25亿/mm

李宗政
李宗政 2
2025-11-23 17:21
最不知真实情况的行业!
软饭协会冠军
软饭协会冠军 1
2025-11-23 16:09
最新消息和早期3纳米差不多