存储芯片巨头美光科技(MU.US)上周六宣布，计划以18亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司(力积电)手中收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施，以扩充其存储芯片产能。该公司表示，将接管力积电位于台湾铜锣的P5厂区，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升DRAM产量。美光科技预计，该交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。美光科技还表示，双方将就美光科技的晶圆后段封装与组装展开合作，并支持力积电的传统DRAM产品组合。

这笔交易标志着美光科技持续推进全球扩张的最新举措。数据显示，美光科技上周五收涨7.76%，原因是该公司当天在美国纽约州奥农多加县举行的内存制造综合体奠基仪式。该项目总投资高达1000亿美元，规划建造最多四座晶圆厂，建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地，同时也是全球最先进的存储芯片生产基地之一。美光科技表示，该设施预计于2030年正式投产，产能将在随后十年内逐步释放，以满足人工智能、数据中心及高性能计算等领域对先进存储芯片持续增长的需求。

美光科技股价在2025年累计上涨逾240%，今年以来再度上涨近27%。美光科技股价的亮眼表现得益于存储行业在人工智能(AI)基建浪潮的推动下进入上行周期。2025年，随着全球AI基础设施建设进入爆发期，存储行业迎来“超级周期”。核心逻辑在于，一方面，AI服务器对存储容量和带宽的需求远超普通服务器。另一方面，行业产能向高端存储产品倾斜(如HBM)，挤压了传统存储产品的产能，从而引发了整个存储行业的涨价潮。

值得注意的是，存储行业的这轮“超级周期”还有望持续至整个2026年，美光科技在去年12月公布的财报中给出了极度乐观的业绩展望便能印证这一点。美光科技当时预计，2026财年第二季度营收为183-191亿美元，好于已被多次上调的市场预期144亿美元;预计第二季度调整后每股收益为8.22-8.62美元，远超市场预期的4.71美元。这一指引表明在全球AI基建浪潮下对存储芯片的需求十分强劲。该公司还将2026财年资本开支预期从180亿美元提高至200亿美元，凸显出持续炸裂的存储芯片需求开始推动该公司加速产能扩张步伐。

花旗集团分析师的看涨姿态更为激进。该行分析师认为，受AI智能体普及和AICPU内存需求激增的驱动，存储芯片价格将在2026年出现失控式上涨。花旗分析师们将2026年DRAM的平均售价(ASP)涨幅预期从原本的53%暴力上调至88%，NAND的涨幅预期从44%上调至74%。

野村分析师则判断，这一轮始于2025年下半年的“存储行业超级周期”将至少延续至2027年，并且真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现。野村分析师表示，投资者们在2026年应继续超配存储龙头，把存储芯片“价格—利润—估值”三击作为2026年存储投资主线，而不是仅把存储当HBM单一题材。

存储行业的高景气度也获得了来自美光科技内部人士“真金白银的投票”。美光科技此前透露，其董事TeyinLiu购入2.32万股美光科技普通股，交易规模为780万美元。此次购入的价格区间为每股336.63美元至337.50美元。交易完成后，TeyinLiu直接持有25,910股美光科技股票。