“光刻机没有一个国家可以做得到，美国都造不出，中国根本做不到！”“中国永远都造不出光刻机？”前年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直言：“美国都造不出，中国永远也造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能造出光刻机。 2024年秋季，朱士尧教授那番采访视频流传开来。他用平静语气指出，光刻机不是一国之力能独立完成的系统工程，美国掌握部分核心，却仍需依赖全球供应链。中国面临的难度更大，单靠一己之力短期内难以实现。他的判断基于多年工程观察，引发热议，有人视作警醒，有人觉得过于绝对。 回想那段时期，中美科技摩擦正处于高点。美国持续扩大对ASML高端设备的出口限制，EUV光刻机彻底断供中国。国内芯片产业链面临严峻考验，成熟制程依赖进口的现状让光刻机自主成为全民关注焦点。网络上观点两极，有人坚信集中力量就能突破，有人强调技术壁垒短期难逾越。朱士尧的话像一面镜子，映照出工程现实的残酷一面。 光刻机涉及光学、激光、精密机械等多学科交叉。一台EUV设备重150吨，零件超45万套，拆解最小单元逾百万件。运输需250个集装箱，组装调试要250名工程师耗时180天，每步校准达原子级精度。ASML首席执行官曾表示，即使给出全套图纸，其他国家也造不出合格产品，因为核心工艺和供应链协同经验无法文档化传递。 光学系统由德国蔡司垄断，投影物镜用13块非球面反射镜，每块面形误差控制在0.3纳米以内，相当于地球表面起伏压到1毫米。工程师需十年以上离子束抛光经验才能操作。中国国望光学EUV物镜波像差优于0.75纳米，与蔡司仍有差距。 光源系统靠美国Cymer，高功率二氧化碳激光每秒轰击5万次锡滴，产生13.5纳米极紫外光，输出功率需稳定超250瓦。哈尔滨工业大学类似光源功率达100瓦，功率不足影响分辨率和产能。 双工件台决定生产效率，ASML动态稳定性能0.5纳米级。国内华卓精科实现量产，但动态稳定性与顶尖水平有差。ASML整合近800家全球供应商，专利上万项，绕开需长期创新，每项突破耗费数年。 人才缺口大，光刻机需光学、机械、电子复合型专家，培养周期十几年。ASML从1999年投EUV到2019年商用，用20年，还获Intel、三星资金支持。中国从2019年加速EUV研发，时间短，与数十年积累差距明显。 “十四五”规划投入3440亿元，300多家企业参与供应链。但EUV仍处原型试产，效率低于ASML。实现系统兼容和稳定量产需漫长经验，在封锁下过程更曲折。朱士尧强调，无国单独掌握全链条，单干脱离实际。 争议持续发酵。2025年，上海微电子28纳米浸没式DUV光刻机进入中芯国际等客户验证，良率逐步提升，核心部件国产化率超85%。国望光学EUV物镜推进，哈尔滨工业大学光源接近量产门槛。华卓精科双工件台量产，动态稳定性验证中。 2025年底至2026年初，深圳实验室EUV原型机采用激光诱导放电等离子体技术，已产生极紫外光，进入试生产倒计时，计划2026年开始大规模生产。上海微电子28纳米设备交付实测，数据改善。光学、机械、材料环节同步推进，专利积累加快。 ASML首席执行官承认，中国成熟制程成果明显，EUV进展超出部分预期。朱士尧表态更像清醒提醒，光刻机需多学科长期积累，全球无单一国家全包。中国从消化现有技术起步，向高端突破，每步验证和集成都在缩短距离。芯片制造未来靠实验室和产线一代代工程师双手，一点点成形。