我国芯片制造水平是机遇与挑战并存。从短板来看，在芯片制造环节，光刻机是最大短板，与全球最强的ASML相比或落后20年。芯片制造需几百道工序和几百种设备，光刻机是核心，成本占设备成本30%左右，这严重限制了我国芯片制造迈向更高制程。
不过，我国也有重大突破。复旦大学团队研发的“无极”芯片，采用三层二硫化钼二维半导体材料，厚度仅0.65纳米，集成度达到5900个晶体管，是之前国际最高水平的50倍。这为突破硅基芯片的摩尔定律极限带来新希望，也让我国在芯片领域有了新的竞争优势。