速览｜功率器件SGT MOSFET三大技术优势

【SGT MOSFET 是什么？】

SGT MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFET作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。
 
SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法，因其不需要在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层，同时Bsg具有良好的高温回流特性，具备良好的沟槽填充能力，可以将沟槽CD极大程度缩小，因而可以缩小单位元胞尺寸(Pitch Size)，采用更高掺杂浓度的外延片实现同样的击穿电压，降低器件Rsp，增强市场竞争力。

【SGT MOSFET 三大技术优势】

● 优势一：提升功率密度
SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance)，例如相同的封装外形PDFN5*6，采用SGT芯片技术，可以得到更低的导通电阻。

● 优势二：极低的开关损耗
SGT相对传统Trench结构，具有低Qg 的特点。屏蔽栅结构的引入，可以降低MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流应用中抑制shoot-through的关键指标，采用SGT结构，可以获得更低的CGD/CGS比值。

● 优势三：更好的EMI优势
SGT MOS结构中的内置电阻电容缓冲结构，可以抑制DS电压关断时的瞬态振荡，如下图5中，开关电源应用中，SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，进一步降低应用风险。

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