2016年：合肥入局DRAM

合肥长鑫集成电路有限责任公司成立于2016年6月13日。早期股权结构中，合肥产投持股99.75%，合肥产投新兴战略产业发展合伙企业持股0.25%。

2017年10月：兆易创新与合肥产投签约

兆易创新公告称，与合肥产投签署《关于存储器研发项目之合作协议》，在合肥经开区空港经济示范区开展19nm、12英寸晶圆存储器，含DRAM等研发。目标是到2018年12月31日前研发成功，即良率不低于10%。项目预算约180亿元，兆易创新与合肥产投按1:4筹集，兆易创新约36亿元，合肥产投出大头。

兆易创新公告里特别说明，研发阶段设计产能只有每月2000—3000片，尚不能达到批量生产标准；从研发成功到量产销售，还需要几年时间。 

2018年：项目进入关键验证期

按照协议，2018年底前要完成19nm DRAM研发目标。这个目标不是“全面量产”，而是达到研发成功和基本良率门槛。公告也提示了几类核心风险：人才、知识产权、设备进口、良率提升、后续量产等。 

2019年：兆易创新以3亿元可转债方式参与

2019年4月，兆易创新与合肥产投、合肥长鑫签署《可转股债权投资协议》，以可转股债权方式对项目投资3亿元。后来兆易创新也强调，除这笔尚未转股的可转债债权外，公司对项目没有其他出资，项目主体与兆易创新独立运营。 

2019年9月：长鑫存储宣布投产

2019世界制造业大会上，长鑫存储内存芯片制造项目宣布投产，推出10纳米级第一代8Gb DDR4，一期设计产能每月12万片晶圆。这个节点标志着中国大陆DRAM从研发项目进入产业化阶段。