华为韬定律 华为芯片 华为逻辑折叠技术 看到华为最新的芯片路径图，不禁回想起关于麒麟9000S芯片，在华为Mate 60系列发布前后确实存在的多种猜测。
1.全新国产制造芯片 ：部分观点认为，麒麟9000S芯片是华为海思自主研发，并由中芯国际采用7纳米工艺代工生产的全新芯片。这种说法得到了一些支持，因为有拆解报告显示芯片上刻有代表中国的“CN”标识。
2.华为自建工厂生产 ：另有猜测称，这款芯片可能由华为自己新建的芯片工厂制造。
库存芯片 ：一种流传较广的猜测是，该芯片是华为在2020年9月15日美国禁令生效前生产并一直封存的库存芯片。支持这一说法的依据之一是，有媒体在拆解后发现芯片上刻有“2035”字样，被认为可能代表2020年第35周生产。
3.关于芯片的制程工艺
7nm制程 ：这是目前最为主流的说法之一，认为芯片采用了中芯国际的7nm工艺技术。
14nm或等效技术 ：由于外界对7nm制程的实现方式存在疑虑，一些技术分析人士提出，麒麟9000S芯片可能采用了14nm工艺，并通过特殊的芯片堆叠封装技术（3D stacking）或对鳍式场效应晶体管（FINFET）工艺进行深度优化，使其性能达到或接近7nm芯片的水平。
4.关于技术突破的方式
技术叠加 ：有观点认为，麒麟9000S芯片采用了一种复杂的技术，即通过将两块基于14nm工艺的芯片在封装层面进行堆叠，从而实现等效于7nm级别的性能。
工艺改进 ：也有技术分析指出，该芯片可能是通过引入原本用于更先进制程（如1-3nm）的GAAFET（全环绕栅极晶体管）的部分技术来改进传统的FINFET工艺，从而在7nm节点上实现性能突破。
5.还有说国产光刻机突破，但是有一个操场那么大[泪奔]
直到昨天解密，大家才知道，第一.制程没突破还是14纳米，第二.9000S芯片也没采用堆叠或者胶水粘贴的方式，堆叠从mate90开始，第三.没有奇迹，只有一个个科研工作者夜以继日的不断工作达成最终目标。
以上，由陪伴了我3年的mate60pro+写下