旅中科大博士达博携团队回国

中国科学技术大学（USTC）博士达博（Da Bo），他在日本崭露头角——横扫其顶级奖项，并开发了世界上最先进的芯片生产线核心组件，现已离开日本国立材料科学研究所（NIMS），携其研究团队返回中国。在获得新职位之前，达博已在NIMS组建了一支由USTC毕业生组成的团队，计划在回国时将他们作为一个整体带回。

达博是一位半导体天才，其研究支撑着台积电在日本的3nm芯片生产线，现任安徽合肥中国科学技术大学工程科学学院主席教授（达博的传记现已在USTC网站上无法访问）。

达博于2013年加日本NIMS——当时他以博士后身份抵达，此前刚在中科大完成博士学位。他在5月20日由中国新闻网站Deeptech发布的采访中表示，他的目标非常明确（mittrchina.com/news/detail/16…）。

如果他能将中国的半导体设备、材料和组件提升到国际标准，“我相信我一生的努力将值得”，他对MIT Technology Review下属网站表示。

达博是NIMS历史上最年轻的独立首席研究员，自2022年以来，他是少数深度参与国际半导体产业前沿项目的中国研究人员之一。

达博来自甘肃省秦巴山区偏远的小县城康县。2004年，他被录取为中科大本科生，并在9年内完成了凝聚态物理的学士、硕士和博士学位。

达博随后加入NIMS——日本唯一专注于材料科学的国立研发机构——在那里，他打破了多项纪录。

2015年，达博成为NIMS国际青年科学家中心的研究员，2016年又在该机构材料研究信息整合中心担任类似职位。

同年，他成为NIMS最年轻的终身轨学术人员，仅用一年时间就实现了这一成就，而通常需要3到5年。

与此同时，达博开发了数据驱动的光谱分析方法，以更高效地表征二维材料——即原子级薄的半导体，也称为2D材料。

利用“白电子”技术控制二次电子能谱作为探针，达博的多通道并行二维材料研究方法提高了检测效率。

在2016年于韩国首尔举行的原子级表征新材料与器件国际研讨会上，达博因其粗糙表面表面激发效应建模工作获得学生类一等奖。

2017年4月1日，达博作为新员工在NIMS年度会议上做报告，同一天晚些时候，他因终身轨阶段的成就获得该研究所最高奖项。

2022年，他又创下一项纪录，其提出的口号“材料改变世界；我们创造材料”被NIMS采纳并沿用至今——这是日本国立研究机构首次采用外国个人的建议。

同年，他成为唯一受邀申请日立全球基金会第54届仓田资助的外国人，该资助针对其基于旋转晶体薄膜的内窥镜用微聚焦X射线源。

达博在圆柱对称旋转晶体衍射电子光学领域的开创性工作，也被美国Lam Research采用，后者是2022年后少数参与国际半导体前沿项目的公司之一。

“我的研究已被美国一家顶级半导体设备公司成功应用，因此，对我来说，这个……资助不仅是资金支持，还是一次将我的研究拉近的机会。
/推特转文/