SK海力士打响“以钼代钨”量产第一枪！375层NAND或引爆存储材料新革命

2026年6月11日，存储行业传来重磅消息：SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证，计划今年年底前正式量产，核心亮点正是用钼材料替代传统钨制作字线，有望突破超高层堆叠的性能瓶颈。这一动作，不仅是存储技术的一次关键迭代，更可能开启半导体材料赛道的新周期。

 

一、技术突破：“以钼代钨”为何被称为超高层NAND的“破局者”？

随着3D NAND堆叠层数从200层迈向300层、400层，传统钨材料的瓶颈愈发明显——在微缩尺寸下，钨的电阻过高，会拖慢数据读写速度，同时增加功耗与发热风险，成为制约性能提升的“天花板”。

而钼材料的出现，恰好击中了这些痛点：

- 更低的电阻，更快的读写：同等微缩尺寸下，钼的电阻率比钨低约28%，能显著降低字线电阻，减少信号延迟，直接提升NAND的读写性能。
- 简化制程，降低成本：钼与电介质材料的附着力更强，无需额外铺设阻挡层，既简化了制程步骤，也减少了漏电流风险，长期来看有望降低制造成本。
- 适配超高层堆叠需求：375层NAND只是起点，未来向更高层数推进时，钼的低电阻优势会愈发凸显，成为支撑存储密度持续提升的关键材料。

此次SK海力士率先完成量产验证，意味着“以钼代钨”已从实验室走向商业化落地，成为存储行业的明确技术方向。

 

二、产业链机会：A股核心受益标的梳理

随着SK海力士的量产推进，半导体级钼材料、溅射靶材的需求有望迎来快速增长，国内具备技术与客户优势的厂商将直接受益：

1. 金钼股份（601958）
国内钼行业龙头，实现了“钼矿→高纯冶炼→半导体靶材”的全产业链闭环，5N级高纯钼靶已通过三星认证，可供应高纯钼坯料，是国内少数能切入国际存储巨头供应链的企业，上下游双重受益于“以钼代钨”的需求爆发。
2. 阿石创（300706）
半导体级钼靶材已实现量产，目前正处于三星、海力士的验证阶段，一旦通过验证，有望直接切入此次375层NAND的供应链，分享技术迭代红利。
3. 隆华科技（300263）
子公司丰联科光电是国内钼溅射靶材的国家级单项冠军，市占率超过50%，在国内面板、半导体领域的客户基础深厚，具备快速拓展存储客户的潜力。
4. 欧莱新材（688532）
产品线覆盖钼及钼合金靶材，目前主要用于后端封装领域，正积极推进晶圆制造端的导入，是“以钼代钨”技术路线的潜在受益标的。

 

三、行业展望：技术趋势明确，但仍需关注量产爬坡节奏

从行业发展来看，“以钼代钨”并非单一厂商的尝试，而是超高层NAND发展的必然方向。随着三星、美光等厂商跟进相关技术路线，未来钼材料在存储领域的应用渗透率有望持续提升，成为半导体材料赛道的长期主线之一。

不过也要看到，新技术量产仍面临良率爬坡、成本控制等挑战，相关上市公司的业绩释放存在不确定性，投资过程中需重点跟踪厂商的客户验证进展与产能落地情况。

 

投资必警

本文内容仅为行业信息梳理与技术趋势分析，不构成任何投资建议。半导体材料技术迭代存在量产良率不及预期、成本控制失败、技术路线被替代等风险，相关上市公司业绩释放具有不确定性，市场波动风险较高，请勿仅凭单一信息做出投资决策。

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