全球芯片巨头史诗级扩产在AI算力需求呈指数级爆发的倒逼下，全球半导体行业正迎来史上投资规模最大、建厂密度最高的一轮扩产周期，巨头们纷纷以万亿美元级的资本开支抢夺未来十年的制造话语权。核心扩产版图：谁在砸钱？投了多少？本轮扩产的资金规模与建厂密度均创历史纪录，主要呈现“韩系存储重仓、代工全球布局、国产同步突围”的格局：韩国存储双雄“举国押注”：三星电子与SK海力士联合宣布未来十年总投资约2000万亿韩元（约合1.3万亿美元），并在政府800万亿韩元配套资金支持下，于西南部光州等地新建4座晶圆厂，目标5年内将DRAM产能翻倍。三星单独规划的本土投资总额更高达2655万亿韩元，重心全面转向HBM4、先进逻辑制程及AI算力基建。代工与美系巨头同步跟进：台积电将2026年资本支出上调至520-560亿美元，全力攻坚2nm工艺并大规模扩建CoWoS封装产能。美光年度资本开支拉升至250-270亿美元加速HBM产线布局；英特尔则依托本土补贴政策扩产先进制程，并深度参与Terafab算力制造项目。国产存储加速突围：长鑫存储与长江存储同步开启产能扩张，长鑫近期签下超200亿元服务器DRAM多年期大单，国内“两存”正以每年6-10万片以上的量级上修扩产计划，加速全球份额抢夺与供应链自主化。 全球芯片巨头史诗级扩产