NASA首席科学家回国创业，所有人说她疯了，十年后她让中国氮化镓杀进英伟达供应链。

2015年，骆薇薇做了一个让身边所有人都觉得她疯了的决定。

当时她在NASA当了十五年科学家，从高级项目经理一路做到首席科学家，年薪百万美元，住着花园别墅。但她看到了一个信号：第三代半导体氮化镓正处于产业爆发的前夜。

她跟身边人说了一句话，"这是时代给的机会，中国不能再错过了。"然后辞职。

然而现实比想象中残酷。回到国内，几乎没人看好。有人当面劝她"这是个火坑，别往里跳"。最后只有一个员工愿意跟她走。

骆薇薇在珠海成立了英诺赛科。从零开始做氮化镓芯片，当时国内连最基本的产业链都不完整。

设备被禁运，原材料受管制，技术人才几乎找不到，第三代半导体这个赛道，欧美日企已经垄断了几十年，中国企业要从夹缝里挤进去。

但你猜她选了什么技术路线？

当时行业主流是6英寸甚至4英寸的碳化硅基氮化镓工艺，稳扎稳打。

骆薇薇直接上了8英寸硅基氮化镓。硅衬底比碳化硅衬底成本低一个数量级，而且能对接全球最成熟的CMOS硅晶圆产线，这个选择本身就意味着一旦跑通，就是降维打击。

问题是太难了。8英寸比6英寸，单颗芯片成本能降30%，晶粒产出增加80%，但硅和氮化镓的晶格常数相差17%，热膨胀系数差异巨大，外延生长时薄膜应力累积到一定程度就会翘曲、开裂。

当时的专业评估机构只给了一句话：从零做到量产，至少需要九年。

骆薇薇觉得没那么复杂。她的原话是："NASA教会我一件事，再难的事，做可行性分解，按逻辑一步一步推进，没有什么是不可完成的。"

头两年融资极其艰难。谈了十几家机构，全黄了。她后来回忆那段日子用了三个字：研发难，融资难，建厂也难。

这时候她做了一个比技术路线更重的决定：不走行业通用的Fabless无晶圆模式，走IDM全产业链。

设计、制造、封测，全部自己干。要自建晶圆厂，投入是普通芯片公司的好几倍。说白了，她要把命门握在自己手里。

2017年，总部迁到苏州，中国第一条8英寸硅基氮化镓外延与芯片生产线落成，填补了国内空白。

从立项到量产，团队用了不到六年，比专业评估少了至少三年。英诺赛科成了全球第一家实现8英寸硅基氮化镓大规模量产的企业。

数据就开始不讲道理了。2024年底港股上市。

到2025年，苏州工厂月产能1.5万片晶圆，良率稳定在95%以上，部分产品站上97%。

氮化镓功率芯片累计出货突破20亿颗，全球市场份额42.4%，排第一。

往前翻一下：2019年全年出货不到500万颗，2024年超12亿颗，这条增长曲线几乎垂直于坐标系。

2025年8月，真正改变牌局的事情发生了。英伟达官网更新了800V高压直流电源架构的合作伙伴名单，英诺赛科是名单上唯一一家中国功率半导体企业。

英伟达的Kyber机架系统正在全面向800V架构迁移，到下一代Rubin平台，单机柜氮化镓芯片用量会从几千颗直接跳到十万颗以上，爆炸级的增量。

有人坐不住了。德国英飞凌从2024年起对英诺赛科发动全球专利围剿，慕尼黑法院禁令、美国337调查，轮番上阵。

英诺赛科两面接招：在美国通过产品设计规避保住了北美市场，在国内从知识产权局一路打到最高人民法院，反诉英飞凌专利侵权。

2026年，最高法终审裁定英飞凌侵犯英诺赛科核心专利，相关芯片在华全面禁售。四年跨国专利战，中国企业全胜收场。

紧接着，谷歌在2026年2月宣布，在其AI硬件平台中正式导入英诺赛科氮化镓产品。

在数据中心电源系统里，氮化镓芯片能把功率密度提升50%、系统元件减少60%，单机房算力密度拉升十倍以上。

没有氮化镓，AI算力中心就是一头吞电怪兽。

骆薇薇用了十年，把一个没人看好的决定变成了市值突破700亿港元的半导体企业。

看看她的客户名单：小米、OPPO、比亚迪、英伟达、谷歌、意法半导体，连起来就是从消费电子吃到AI算力的一条全产业链。

第三代半导体这条赛道上，中国人追了二十年。骆薇薇没选跟着跑。她从一开始，就是冲着领跑去的。