【SK海力士 中国三大基地】前端晶圆制造基地（无锡、大连）持续升级并计划扩建，是公司全球产能的基石；另一方面，后端的封装测试业务（重庆）正在进行战略评估，可能引入投资者。

江苏无锡工厂（DRAM晶圆制造），是SK海力士除韩国本土外最核心的DRAM生产基地，贡献了公司全球30%至40% 的DRAM产能。，月产能约18万～19万片12英寸晶圆。2026年初已完成制程升级，约90%产能已切换至1a工艺，可量产DDR5、LPDDR5X等高端产品。2025年向无锡工厂投资5811亿韩元（同比增长102%），累计在华投资已超200亿美元。

大连工厂（NAND闪存制造），贡献了SK海力士全球20%以上的NAND闪存产能。已完成向192层3D NAND产线的升级。月产约10万片NAND晶圆。已计划重启大连二期扩建工程。2025年投资4406亿韩元（同比增长52%），用于产能升级与技术研发，正推进321层第九代NAND产线转换，聚焦AI服务器、数据中心等高端存储芯片生产。

重庆工厂，NAND闪存后工序（封装和测试）基地。