三星电子正在投资扩建其主要半导体生产基地——平泽第四园区(P4)的DRAM产能。在NAND方面,位于中国西安的工厂正在进行最先进的V9(第九代)NAND闪存的改造投资。
SK海力士今年第一季度在其新建的M15X晶圆厂投产,主要产品为高带宽内存(HBM),并持续扩大产能。同时,SK海力士也在对M14和M16等现有晶圆厂进行改造升级,以生产最先进的DRAM。此外,位于龙仁市大型半导体产业集群的首座晶圆厂Y1也于上月开始接受设备订单。
三星电子正在投资扩建其主要半导体生产基地——平泽第四园区(P4)的DRAM产能。在NAND方面,位于中国西安的工厂正在进行最先进的V9(第九代)NAND闪存的改造投资。
SK海力士今年第一季度在其新建的M15X晶圆厂投产,主要产品为高带宽内存(HBM),并持续扩大产能。同时,SK海力士也在对M14和M16等现有晶圆厂进行改造升级,以生产最先进的DRAM。此外,位于龙仁市大型半导体产业集群的首座晶圆厂Y1也于上月开始接受设备订单。