NAND 制造正从钨转向钼（Mo）

🔧NAND 制造正从钨转向钼（Mo）：3D NAND 在十年前就停止了侧向缩小，它通过堆叠层来扩展。⚠️但是当层数超过～300 层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈：电阻太高，基于氟的化学反应导致泄漏，而且在超深孔中填充失败。✅解决方案是钼。更低的电阻（更快的读 / 写速度），无需氟化物，而且它能更好地填充高深宽比特征。💡钼不是一种优化，它对于300 + 层 NAND 是必需的。（1/4）📊【为何 3D NAND 存储在 300 层节点发生技术转向】📌小于 300 层：采用钨（W），技术已达极限🔻1. 性能受损，信号传输缓慢🔻2. 存在漏电风险，制程构建不稳定🔻3. 制程构建失败，孔洞深度过大📌大于 300 层：采用钼（Mo），代表未来技术方向🔹1. 性能优异，信号清晰快速🔹2. 制程构建稳定，存储层安全可靠🔹3. 制程构建无缺陷，孔洞填充效果完美💎钼（Mo）技术，让300 层以上存储堆叠成为可能。🏭行业当前的状况：量产仍处于 2xx 层级。📑铠侠 / 闪迪达到 218L，美光 276L，三星 286L，而 SK 海力士的 321L 处于领先地位。🚀向 3xx‑4xx 层级的转变现在开始。📈我们预计，钼将从 2025 年占 NAND 容量的中个位数百分比增长到 2027 年的约 30%。（2/4）📋每家主要的 NAND 制造公司都已承诺布局钼字线技术。🟠三星：先行者，自 2024 年起大规模生产钼字线🟠美光：2025 年在泛林的 ALTUS Halo 设备上实现量产🟠SK 海力士：到 2026 年底采用钼的 375 层 NAND（3/4）🛠️每一次钨→钼转换都意味着需要全新的沉积工具。💰我们估计，仅在 2027 年，NAND 钼沉积工具的销售额将超过 10 亿美元，到 2030 年，随着 DRAM 和逻辑芯片的跟进，增长至约 20 亿美元 / 年。🏷️泛林将首先受益，东京电子也将从中获益。📌应用材料、阿斯麦和北方华创则将受益于 DRAM / 逻辑芯片的技术浪潮。