【战略金属】研究机构SemiAnalysis称，NAND制造正从钨转向钼。NAND在十年前就停止了侧向缩小，它通过堆叠层来扩展。但是当层数超过~300层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈:电阻太高，基于氟的化学反应导致泄漏，而且在超深孔中填充失败。解决方案是钼。更低的电阻(更快的读/写速度)，无需氟化物，而且它能更好地填充高深宽比特征。钼不是一种优化，它对于300+层NAND是必需的。