4F²架构是DRAM芯片的下一代存储单元设计，通过将传统6F²结构压缩为2F×2F的正方形布局，理论面积减少33%，密度提升50%。其核心突破在于采用垂直环绕栅（VSG）晶体管技术，通过立式结构增强电控稳定性，并结合晶圆级混合键合实现外围电路与存储阵列分离制造。长鑫存储计划2026年底推出4F² DDR5服务器内存，但量产良率和成本控制仍是挑战。该技术与NAND领域的XTacking类似，但需解决DRAM特有的漏电和工艺兼容问题。