路透社 10 月 28 日报道的核心事实已经核实:长鑫 HBM3E 良率据消息人士估计为 20%–30%,计划两个月内启动小规模生产。不过,这个数字尚未得到长鑫官方确认。
但我看了下今天市场基本上没有任何定价。如果主要损失来自DRAM裸片制造,前道检测更关键;如果主要来自TSV、堆叠和封装,先进封装量测、KGD测试的边际价值会更高。
路透社 10 月 28 日报道的核心事实已经核实:长鑫 HBM3E 良率据消息人士估计为 20%–30%,计划两个月内启动小规模生产。不过,这个数字尚未得到长鑫官方确认。
但我看了下今天市场基本上没有任何定价。如果主要损失来自DRAM裸片制造,前道检测更关键;如果主要来自TSV、堆叠和封装,先进封装量测、KGD测试的边际价值会更高。