强强联手，共铸芯未来——Cambridge GaN Devices携手GlobalFoundries加速GaN功率器件创新在半导体产业这片星辰大海中，Cambridge GaN Devices（CGD）正与GlobalFoundries（GF）展开一场意义深远的战略合作。双方将共同拓展单芯片IceGaN功率器件的供应链版图，为高速发展的电力电子应用注入澎湃动能。CGD首席运营官Simon Stacey（如图）充满信心地表示："将CGD的创新设计流程与GF卓越的工艺设计套件（PDK）相结合，就像为GaN功率器件装上了双引擎，将大幅加速下一代产品的商业化进程。GF享誉业界的晶圆代工服务与对GaN技术的坚定承诺，与我们的IceGaN功率器件堪称天作之合。"IceGaN技术犹如一位技艺精湛的微雕大师，巧妙地将GaN开关、接口和保护电路集成于同一芯片之上。这种革命性的单芯片架构，与业内常见的多芯片或共封装方案形成鲜明对比。更令人称道的是，这项开创性技术能与标准硅MOSFET驱动器无缝协作，并采用常规硅CMOS晶圆制造工艺打造——这意味着无需为晶圆厂配置特殊工艺，就能实现规模化生产。值得一提的是，GF成熟的8英寸晶圆工艺不仅确保了产品质量的稳定性，更让CGD产品在成本竞争力上占得先机。这场战略合作，正在为功率半导体领域谱写新的篇章。‍

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