今年以来，伴随AI算力基础设施持续扩容与存储芯片技术迭代加速，HBM、先进封装与上游溅射靶材同步迎来需求扩张。
作为芯片制造与封装环节的镀膜基础材料，溅射靶材广泛应用于金属布线、阻挡层制备等工序，是半导体生产不可或缺的组成部分。
HBM能通过多层堆叠实现高带宽数据传输，是AI算力提升的重要支撑，而2.5D/3D先进封装则是HBM落地与异构集成的关键工艺路径。
单颗HBM芯片的靶材消耗量可达普通DRAM的2倍以上，先进封装单位芯片的靶材用量也明显高于传统封装。
机构测算，2026年全球HBM市场规模同比增长约58%，国内半导体高纯靶材市场规模同步扩张，行业整体增速显著高于过往平均水平。
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本期，我们梳理相关产业链的核心环节，结合业务关联度与产业发展现状，筛选出六大方向及相关企业，供大家研究参考。注意：以下内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供交流研讨。
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一、HBM存储专用溅射靶材核心逻辑：HBM存储芯片堆叠层数持续增加，单位产品靶材消耗量较普通存储芯片出现明显增长，伴随全球存储厂商将新增产能向HBM倾斜，对应靶材需求持续释放。
相关公司：江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技、安泰科技、欧莱新材等
有研新材：旗下高纯金属靶材业务品类齐全，具备存储芯片多类靶材的量产能力，产品已在国内多条存储产线落地应用。
欧莱新材：专注高纯溅射靶材研发生产，部分产品已切入半导体存储领域，持续推进更高纯度产品的技术迭代。
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二、2.5D/3D先进封装工艺靶材核心逻辑：先进封装需要通过溅射工艺制备导电层与阻挡层，带动铜、钛、镍等金属靶材需求增长，随着国内封测企业先进封装产能扩张，上游靶材的配套需求持续攀升。
相关公司：江丰电子、有研新材、中钨高新、安泰科技、阿石创、贵研铂业等
江丰电子：铜靶、钛靶等先进封装用产品已实现批量供货，可适配TSV硅通孔、RDL重布线等多种封装工序，配合国内多家封测厂完成产线配套。
有研新材：封装级靶材产品覆盖凸点制备、重布线等多个环节，与国内主流封测企业建立合作，随下游产能扩张同步释放业绩。
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三、HBM与先进封装塑封材料核心逻辑：HBM堆叠结构与先进封装异构集成方案，对封装材料提出更高要求，环氧塑封料、底部填充胶等材料用量随封装复杂度提升而增长，国产替代进程逐步加快。
相关公司：华海诚科、飞凯材料、壹石通、联瑞新材、鼎龙股份、凯华材料等
华海诚科：环氧塑封料产品矩阵丰富，针对存储芯片与先进封装场景开发对应型号，适配HBM封装的相关材料正处于客户验证阶段。
飞凯材料：电子封装材料覆盖底部填充胶、塑封料等多个品类，可满足先进封装的制程需求，逐步推进存储封装领域的产品导入。
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四、封装基板与配套材料核心逻辑：HBM与AI芯片的先进封装方案，对封装基板的布线密度、层数与热稳定性要求提升，ABF基板、玻璃基板等产品需求增长，带动上游铜箔、树脂等需求上行。
相关公司：深南电路、沪电股份、生益科技、京东方 A、南亚新材、华正新材等
深南电路：具备FCBGA封装基板量产能力，产品可适配AI芯片与存储芯片的先进封装需求，持续推进高布线密度基板的产能扩张。
沪电股份：布局封装基板业务多年，针对服务器与AI场景开发对应产品，配合下游客户推进技术验证与产能爬坡。
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五、晶圆级封装辅助耗材核心逻辑：晶圆级封装涉及切割、键合、清洗等多道工序，离型膜、电子特气、抛光材料等辅助耗材直接影响封装良率与生产效率，随着国内先进封装产能规模扩大，国产产品的替代空间逐步打开。
相关公司：洁美科技、中船特气、三孚股份、鼎龙股份、安集科技、江化微等
中船特气：多品类电子特气覆盖刻蚀、沉积等工序，可适配HBM制造与先进封装的制程要求，下游客户覆盖国内多家晶圆厂与封测厂。
鼎龙股份：CMP抛光垫、抛光液产品可应用于先进封装的平坦化工序，适配3D堆叠封装的制程工艺要求。
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六、HBM与先进封装代工服务核心逻辑：HBM堆叠与2.5D/3D先进封装技术壁垒较高，封测厂商的工艺能力直接决定产品良率与交付能力，伴随AI芯片与存储芯片的封装需求增长，具备对应量产能力的封测企业订单规模持续扩大。
相关公司：长电科技、通富微电、华天科技、佰维存储、盛合晶微、康强电子等
长电科技：拥有XDFOI多维异构封装技术平台，可提供HBM相关封装服务，AI相关先进封装业务规模持续增长，产能处于逐步释放阶段。
通富微电：布局FCBGA、类CoWoS等先进封装技术，适配AI芯片与存储芯片封装需求，推进相关产线的扩产与量产落地。
从先进封装的异构集成、HBM存储的高速互连，到上游靶材的支撑，三者覆盖半导体先进制造的多个核心环节，是算力硬件升级的重要部分。
随着下游应用需求持续释放与国内产业链自主配套能力提升，各环节具备技术积累与产能布局的企业，有望在行业增长与国产替代进程中迎来发展机遇。
*提醒：本文梳理所有内容仅供参考，不代表本人倾向。篇幅有限，有所疏漏，欢迎大家留言交流。
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