工信部发文提示，高速光芯片对外依存度极高，属于AI产业链卡脖子短板，已部署攻坚磷化铟全产业链。

2026年6月，全球光芯片行业迎来一轮空前的扩产大潮。海外巨头与国内厂商同步砸下重金扩建产线，一场产能赛跑全面打响。

AI算力基础设施爆发式增长，让高速光芯片供需缺口突破30%，主流厂商订单已经排至2027年底。看似火热的市场背后，隐藏着一道长期难以逾越的壁垒：高端高速光芯片长期被海外企业垄断，产业链关键环节仍被牢牢卡住脖子。

当前行业最大的困境，是高端芯片供给被少数几家海外企业牢牢掌控。在100G及以上高速EML激光器芯片领域，住友电工、三菱电机、Lumentum、Coherent四家企业占据了全球绝大多数量产产能，几乎垄断了AI数据中心所需的核心器件。6英寸磷化铟（InP）晶圆产线是制造高速光芯片的核心基础设施，海外厂商早早锁定了大部分成熟产线，英伟达等国际科技巨头更是提前投入巨资锁死产能，留给国内企业的产能空间十分有限。上游磷化铟衬底、外延片材料同样高度依赖进口，从原材料到芯片制造，整条产业链处处受制于人。

技术壁垒是卡脖子问题的根源。光芯片属于化合物半导体，和传统硅芯片工艺路线完全不同。海外企业经过数十年持续迭代，已经形成成熟的材料配方、光刻工艺与良率控制体系。国内企业目前仅能稳定量产25G及以下中低端光芯片，200G、400G这类适配800G、1.6T光模块的高端产品，还处在样品验证阶段，量产良率、稳定性都和国际一流水平存在明显差距。再加上化合物半导体产线建设周期长达两到三年，就算当下立刻开工建厂，新增产能也要等到2028年才能逐步释放，短期很难填补巨大的市场缺口。一边是国内光模块产业稳居全球第一，产品源源不断销往全世界；另一边是核心芯片只能高价外购，利润被上游海外厂商大量拿走，供应链安全风险持续走高。

面对严峻的“卡脖子”困局，行业不能只盯着短期抢产能，必须走出一条循序渐进的国产替代之路。

第一，集中资源攻坚核心产线，补齐硬件短板。当前行业扩产的核心方向就是6英寸InP晶圆产线。各地应当统筹产业政策，集中资金扶持IDM模式企业，自主建设完整的芯片制造产线，不再单纯依赖代工厂。同时大力扶持磷化铟衬底、外延片本土企业，打通上游原材料供应链，实现基材自主可控，从源头摆脱进口依赖。趁着当前行业高景气周期，抓紧落地新建产线，稳步扩大本土产能，逐步缩小和海外巨头的产能差距。

第二，坚持技术分步突破，由低端稳步迈向高端。我们不必追求一步到位赶超顶尖水平，可以采取梯度突破策略：先把25G、50G成熟型号做到极致，全面实现自给自足，稳固基本盘；集中研发力量攻克100G、200G高速EML芯片，尽快完成客户验证、实现小规模量产；提前布局CPO封装、薄膜铌酸锂等下一代新技术路线，在前沿赛道实现弯道超车，避开海外已经构筑好的专利壁垒 。鼓励企业与高校、科研院所共建实验室，打通产学研转化通道，把实验室技术快速落地为量产产品。

第三，用好市场优势，以需求拉动产业成长。我国拥有全球最大的光模块产业集群，海量的订单就是国产芯片最好的成长土壤。运营商、大型互联网数据中心可以出台供应链扶持政策，优先采购国产光芯片产品，给本土厂商充足的测试与迭代机会。通过大规模装机应用，不断优化产品稳定性、提升生产良率，用庞大的内需市场培育出具备全球竞争力的本土龙头企业。

第四，构建长期稳定的资本支持体系。化合物半导体研发投入大、回报周期长，单纯依靠企业自有资金很难持续投入。产业基金、资本市场应当向光芯片企业倾斜，长期支持研发投入，避免企业因为短期利润压力缩减技术攻关预算。同时完善知识产权保护，鼓励企业开展专利布局，打破海外企业构筑的专利围墙，为国产产品出海扫清障碍。

AI算力时代，光芯片就是数据互联的神经中枢，芯片自主可控直接关系到我国算力产业链的安全。眼下全球产能紧缺，既是供应链风险，也是国产替代难得的黄金窗口期。短期我们抓紧扩充本土产能，缓解供货紧张；中长期我们稳扎稳打攻克材料、工艺难题，一步一个脚印补齐技术短板。只要持续深耕、久久为功，我们终将打破海外技术垄断，彻底摆脱高端光芯片被卡脖子的被动局面，构建起自主可控、安全稳定的光电产业链。