春意渐浓，万象更新。在这充满生机的季节里，我们非常荣幸地向大家分享一个喜讯：在近期圆满落幕的“2026半导体产业发展趋势大会”上，经过多轮严格评选，深圳市微碧半导体有限公司（VBsemi）凭借在功率器件领域的持续深耕与创新突破，荣获了“电子元器件行业优秀国产品牌”这一重要奖项。

这不仅仅是一份荣誉，更是一份沉甸甸的责任。作为一家在功率半导体领域扎根二十载的企业，微碧的每一步成长都折射出中国半导体产业奋力向上的缩影 。从2003年最初的技术萌芽，到如今成长为国家级高新技术企业，我们始终深知：这份奖项不仅是对微碧过去二十年坚持“创新驱动、质量为先”理念的肯定，更是行业对国产功率器件走向高端化、迈向国际化舞台的殷切期许 。

在微碧看来，品牌的影响力从来不是源于空中楼阁的宣传，而是扎根于实验室里成千上万次的可靠性测试，源于对每一颗芯片性能指标的极致追求，以及在关键应用场景中对行业散热、能效等痛点问题的切实解决 。我们始终坚守“参数实标、高性价比”的承诺，累计服务全球2000余家企业客户，这背后是微碧人对底层技术持之以恒的敬畏之心 。

此次能够获得“优秀国产品牌”称号，很大程度上得益于我们在AI算力基础设施及边缘AI应用这两个前沿赛道上的深度探索与技术积累。在这一波技术浪潮中，我们不仅要做时代的见证者，更致力于做底层核心器件的创新者。一、 助力AI算力底层：VBGQTA1101——AI服务器MOSFET的突破创新

在AI服务器等超高功率场景中，散热效率往往是制约系统性能的瓶颈。我们推出的VBGQTA1101，正是为了啃下这块“硬骨头”而生。

【产品性能】 VBGQTA1101是一款面向超高功率场景的功率MOSFET。它采用创新的顶部散热TOLT-16封装，散热路径与电流路径分离，极大提升了散热效率。其核心参数100V耐压、415A大电流、1.2mΩ超低导通电阻，专为降低能耗、处理大功率而设计。

【产品竞争力】 它的核心优势在于封装技术。作为国内首款采用顶部散热TOLT封装的MOSFET，它填补了国内在该高端技术领域的空白。相比国际品牌，它具有国产化替代和本地化服务优势；相比其他国内品牌，它在解决高功率密度应用的散热瓶颈上具有明显领先性。

【技术创新】 主要创新在于封装突破。它实现了“热传导与电流路径解耦”，使我们成为全球第三家、中国首家掌握此项TOLT封装技术的公司，打破了国际巨头在此领域的技术垄断。

【应用案例】 该产品核心应用于对功率密度和散热要求极严苛的领域：

AI服务器电源： 关键目标市场，用于构建高效、紧凑的电源系统。

高端工业与新能源： 如电动汽车电驱、大功率工业变频器、光伏逆变器和充电桩等。

具体案例： 微碧的MOSFET产品（技术同源）已应用于AI情感机器人的精密电机驱动中，实现精准控制。

总的来说，VBGQTA1101是一款以革命性封装技术解决散热难题的国产高端功率器件，主要服务于AI算力、电动交通等前沿产业。

二、 赋能边缘智能：VBGQA1254N——边缘AI应用专属MOSFET的新突破

如果说服务器端追求的是极致功率，那么在边缘AI和机器人领域，体积与效率的权衡则是设计的核心。我们的VBGQA1254N，正是针对这类紧凑、高效的中功率场景量身定制的。

【产品性能】 VBGQA1254N 是一款采用 DFN8(5X6) 紧凑封装的单N沟道MOSFET。其核心参数250V耐压、35A连续电流、42mΩ导通电阻，在SGT技术加持下，实现了良好的开关效率、较低的栅极电荷和导通损耗，非常适合空间受限且要求高效开关的应用。

【产品竞争力】 它的竞争力在于性能与尺寸的平衡。在边缘AI和机器人关节等对体积敏感的应用中，其小巧的DFN封装是显著优势。相比国际品牌同规格产品，它具有国产化成本与供应优势；相比国内其他品牌，其SGT技术和250V/35A的参数组合在可靠性和性能上可能更优。

【技术创新】 技术创新主要体现在 “SGT（屏蔽栅沟槽）技术” 与紧凑封装的结合。SGT技术优化了器件的开关性能和可靠性，而小型化的DFN封装满足了现代电子设备高集成度的需求，这反映了我们设计上对特定应用场景的深度适配。

【应用案例】 此型号精准针对边缘AI设备与机器人：

核心应用： 机器人关节驱动。其35A电流和250V耐压足以驱动中小型伺服电机，而小尺寸DFN封装非常适合集成到关节模组内部，实现高功率密度设计。

具体场景： 可用于协作机器人、AGV小车、服务机器人的关节电机控制器，实现精确的位置和力矩控制。

其他领域： 同样适用于紧凑型电源（如通信设备模块电源）、无人机电调等需要中压、中流、小封装的功率转换场景。

VBGQA1254N 是一款为空间和效率权衡而优化的中功率器件，其小巧、可靠的特性，使其成为边缘AI和机器人关节驱动等前沿紧凑型应用的理想选择。

心怀敬畏，笃行致远

回首二十年前，微碧的技术种子在台湾新竹萌芽；十四年前，我们在深圳正式开启了国产功率器件的壮阔征程。从最初的平面工艺到如今的SGT、SJ-MOS乃至第三代半导体SiC/GaN，我们每一步的迈出都离不开客户的包容与市场的磨砺。

获得“2026半导体产业发展趋势大会电子元器件行业优秀国产品牌”的这项荣誉，对我们而言是一个全新的起点。我们清醒地认识到，在高端功率半导体的舞台上，国产替代依然任重道远。微碧半导体将继续秉持“创新驱动、质量为先”的理念，不骄不躁，深耕底层技术，力争为全球客户提供更具价值的“中国芯”方案。

再次感谢大家的一路同行！未来的路，我们期待与您继续携手共进。