【台积电2nm工艺预计到2025年实现大规模生产】近日，台积电在对官网上的逻辑制程内容进行了更新，称台积电2nm（N2）技术开发依照计划进行并且有良好的进展。N2技术采用第一代纳米片（Nanosheet）晶体管技术，在性能和功耗方面实现了全面的飞跃，预计于2025年开始量产。主要客户已完成2nm IP设计，并开始进行验证。此外，台积电还开发了RDL（低阻值重置导线层）、超高效能金属层间（MiM）电容，以进一步提高性能。据了解，台积电在2nm制程节点还将引入GAA晶体管架构，有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。
