韩媒：中国长鑫存储加速向高端产品转型！ 最近刷手机刷到个消息，韩国《Etoday》发了篇文章，说咱们中国的半导体企业正闷头从“卖便宜内存”往“搞高精尖产品”转型。特别是长鑫存储，现在都在批量生产DDR5和HBM这种以前得看别人脸色的尖端货了。 韩国那边呢，虽然嘴上说自家工艺、良品率、市场反应快还有优势，但估计心里也有点发毛——毕竟咱们这进步速度，搁谁看着不慌啊？ 咱先唠唠这长鑫存储最近的动静。以前DDR4是啥？就是咱们电脑、笔记本、服务器里最常见的那种“经济适用型”内存，便宜量大，但技术门槛不算高。 长鑫存储从2020年市场份额还不到1%，到现在直接干到5%，这增长速度跟坐火箭似的。去年他们还搞了波“低价走量”，直接把DDR4的市场份额往上提了一大截。 更绝的是，今年年底前可能就要逐步停掉DDR4的出货了——不是说不卖了，是人家要腾地方，主攻DDR5和HBM这些“高端玩家”才用的玩意儿。 再看产能，去年长鑫存储一年能产162万片DRAM晶圆，今年直接干到273万片，涨了68%。这数字啥概念？现在全球DRAM市场排第三的美光，估计都能感觉到背后有股热乎气儿吹过来。 韩国那俩老大哥三星和SK海力士也没闲着，早就在“去通用化”了——啥叫去通用化？就是少生产点赚得少的DDR4，多搞点技术含量高的HBM。 三星去年DDR4还能占DRAM销售额的三成多，今年直接要砍到个位数；SK海力士更狠，不仅扩了HBM产能，还搞出了全球第一个HBM3E的量产线，就等着抢占高端市场。 但话说回来，长鑫存储现在虽然在DDR5和HBM上已经有动作了，比如去年底就开始量产DDR5，最近还把17纳米工艺升级到16纳米——这工艺跟韩国2021年用的10纳米级第三代工艺比，差距也就三年左右。 HBM方面，现在能量产HBM2E，HBM3（第四代）也在冲刺今年量产。可平心而论，人家韩国企业玩高端内存也不是一天两天了，性能、稳定性、良品率这些硬指标，咱们确实还有差距。 就像韩国电子技术研究院的李圭福说的：“中国企业靠扩产确实能搅动市场，但技术上的坎儿不是一天能跨过去的，得慢慢磨。” 不过咱也别妄自菲薄。从DDR4时代的“跟跑”，到现在DDR5、HBM的“并跑”，长鑫存储这进步有目共睹。以前咱们买内存，要么是国外的品牌，要么是国外技术授权。 现在能自己设计、自己生产，甚至开始抢高端市场的蛋糕，这本身就是件值得骄傲的事儿。就像咱们造手机，从最早的“组装货”到现在能跟苹果、三星掰手腕，不也是这么一步步走过来的？ 再想想，半导体这行最忌讳的就是“卡脖子”。以前咱们在内存领域没话语权，人家说涨价就涨价，说断供就断供。现在长鑫存储能杀进高端市场，至少能让国外企业不敢再那么“肆无忌惮”——你敢涨价？我就推我的DDR5；你断供？我自己有产能。这种“鲶鱼效应”，对整个行业的发展都是好事儿。 当然，咱也不能盲目乐观。技术差距还在那儿摆着，良品率、稳定性这些细节还得下苦功夫。就像学开车，刚拿到驾照敢上路是一码事，开得又快又稳又是另一码事。 长鑫存储现在就是在“练车”——从DDR4的“新手村”出来，正在攻DDR5和HBM的“进阶关卡”。只要持续投入研发，踏实解决技术问题，早晚能追上甚至反超。 说到底，半导体产业是个“马拉松”，不是百米冲刺。长鑫存储现在的每一步，都是在为咱们中国半导体产业攒经验、打基础。以前咱们总觉得“造不如买”，现在才明白“买不如造”——自己有技术，腰杆子才硬，说话才有人听。
