碳化硅/氮化镓产业链梳理分析
一、碳化硅和氮化镓作为第三代半导体核心材料，凭借“宽禁带、高击穿场强、高热导率”等物理特性，在新能源汽车、5G通信、光伏储能等领域具有不可替代的作用，是全球半导体产业升级的核心方向。
1. 技术与市场双轮驱动
碳化硅：聚焦高压大功率场景，器件效率比硅基提升20%-30%。2024年全球市场规模达17.6亿美元，预计2030年突破100亿美元；中国企业市场份额从2022年的15%提升至2024年的30%，12英寸衬底技术推动成本下降35%。
氮化镓：主打高频高效场景，效率超95%且体积缩小50%。2023年全球市场规模17.6亿元，预计2028年突破500亿元，车规级应用加速渗透。
2. 产业链国产化进程
中国在衬底、设备、器件等环节加速突破：
衬底/外延：天岳先进12英寸碳化硅衬底量产，三安光电碳化硅外延片市占率全球领先；
设备/材料：北方华创、中微公司的刻蚀/薄膜设备国产化率超40%，菲利华的碳化硅陶瓷组件打破海外垄断；
器件：斯达半导、时代电气的碳化硅MOSFET进入比亚迪、蔚来供应链，赛微电子的氮化镓射频器件占5G基站份额超30%。
二、核心个股梳理
1. 衬底/外延：产业链源头，技术壁垒最高
天岳先进：全球第四大碳化硅衬底厂商，12英寸衬底量产，2024年营收同比增长89%，绑定国内头部器件厂。
三安光电：碳化硅外延片全球市占率超25%，垂直整合“衬底-外延-器件”全链条，车规级MOSFET良率超98%，供应比亚迪、小鹏。
露笑科技：碳化硅衬底产能扩至20万片/年，6英寸导电型衬底良率85%+，切入斯达半导、士兰微供应链。
东尼电子：布局碳化硅长晶炉及切割设备，技术适配12英寸衬底，2024年设备订单超5亿元，客户覆盖天岳先进、三安光电。
2. 设备/材料：国产替代攻坚主战场
北方华创：碳化硅刻蚀/薄膜设备市占率国内第一，技术适配8英寸产线，2024年第三代半导体设备营收占比提升至35%。
晶盛机电：碳化硅单晶炉国内市占率超60%，可生产12英寸衬底，与天岳先进、露笑科技合作紧密，设备交付周期6-8个月。
中微公司：碳化硅深硅刻蚀机全球领先，刻蚀速率达10μm/min，供应三安光电、英诺赛科。
菲利华：碳化硅陶瓷组件全球市占率超70%，耐温性达1700℃，绑定Wolfspeed、II-VI等国际巨头。
3. 功率器件/模块：应用落地核心载体
斯达半导：国内碳化硅MOSFET龙头，产品通过AEC-Q101车规认证，2024年新能源汽车主驱模块出货量超50万套，绑定比亚迪、理想。
时代电气：高铁电传动技术迁移至碳化硅器件，650V-1200V全系列产品覆盖，2024年营收同比增长72%，供应蔚来、宁德时代。
扬杰科技：碳化硅二极管国内市占率超40%，2024年新增8英寸产线，切入华为数字能源供应链。
华润微：650V碳化硅MOSFET量产，良率95%+，2024年工业电源领域营收占比提升至28%，客户覆盖阳光电源、科华数据。
士兰微：IDM模式布局碳化硅全链条，1200V MOSFET良率88%，2024年车规级模块订单超3亿元。
4. 射频器件：高频场景技术标杆
赛微电子：氮化镓射频器件国内市占率第一，5G基站PA出货量占全球30%，2024年营收同比增长65%，绑定华为、中兴。
铖昌科技：氮化镓相控阵雷达组件国内领先，技术迁移至5G通信，2024年射频业务营收占比提升至45%，客户覆盖中国电科、航天科工。
5. 封测：良率与可靠性保障
长电科技：碳化硅器件封装良率99.5%，支持12英寸晶圆，2024年封测营收同比增长58%，客户覆盖英飞凌、安森美。
通富微电：与AMD合作开发碳化硅封装技术，2.5D/3D封装良率98%+，2024年第三代半导体封测订单超8亿元。
6. 应用/终端：需求爆发的直接体现
闻泰科技：收购安世半导体后切入碳化硅领域，车规级MOSFET供应特斯拉、宝马，2024年营收同比增长42%。
麦格米特：氮化镓快充芯片国内市占率超50%，适配小米、华为，2024年消费电子业务营收占比提升至38%。
奥海科技：车载氮化镓充电器市占率第一，供应比亚迪、广汽，2024年营收同比增长61%。
三、总结：逻辑与核心标的
第三代半导体是新能源革命与国产替代的战略交集，投资需聚焦三大方向：
1. 技术卡位环节：衬底、设备、射频器件，技术壁垒高、国产替代空间大；
2. 需求爆发环节：功率器件、应用终端，直接受益于新能源汽车、快充等场景放量；
3. 全链条布局企业：士兰微、闻泰科技，具备从材料到器件的垂直整合能力，抗周期波动强。
风险提示：需关注技术路线变更、海外技术封锁、产能过剩导致的价格战。
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