彭博社：华为找到无需尖端设备也能制造先进半导体的方法
据彭博社（日语版）5月25日报道：华为已开发出一种新方法，以缩小与台积电尖端芯片的差距。 这个突破实现了无需尖端设备也能制造先进半导体。
目前，与华为及中芯相比，台积电制造芯片的技术水平存在约五年的领先。 25日，华为半导体部门负责人何廷波表示，他们将在2031年前开始使用其专有的“LogicFolding”技术制造1.4纳米半导体。 而台积电此前宣布此类芯片将于2028年开始量产。
如果华为能够批量生产1.4纳米半导体，将推翻业界普遍认为的“荷兰阿斯麦尖端极紫外（EUV）光刻设备对于大规模生产5纳米以下先进半导体至关重要”的认知。 这类尖端半导体被用于支持先进人工智能（AI）技术的应用。
纳米单位用作半导体芯片晶体管尺寸的指标。 晶体管越小，可装载的芯片越多，从而提升性能。 阿斯麦的极紫外器件被认为是晶体管微型化的关键。
在美国主导的多边出口管制加强多年后，华为处于中国半导体自给自足的最前线。 美国的禁售在一定程度上限制了中国人工智能的发展进展，限制了先进半导体和制造设备的出口。
去年9月，华为宣布了一份为期三年的路线图，开始推出一系列AI半导体，以填补因英伟达对华出口禁令而留下的市场空白。