韩媒：长鑫存储开始崛起，韩国“三十年霸主地位”出现裂痕！ 1月21日，韩国媒体《韩国经济日报》发表文章称，“如果未来韩国存储芯片霸主地位动摇，那么这不是因为美国的美光，而是因为中国的长鑫存储。” 这已是韩国半导体专家们热议的话题，持续了两三年之久。业界分析认为，若长鑫存储成功掌握核心技术，在高端DRAM市场发起低价攻势，那么就连深耕全球存储器市场三十余年的三星电子和SK海力士，恐怕也将难以为继。 而这正在成为现实。在政府的支持下，长鑫存储已成长为DRAM市场的“核心玩家”。 数据说明一切。市场调研机构Counterpoint Research发布的数据显示，以去年第三季度为准，长鑫存储的DRAM市场份额（按销量计算）已达8%。虽然与三星电子（37%）和SK海力士（30%）存在差距，但其占有率已经达到了“不容忽视的水平”。 DRAM产能已与美光旗鼓相当。市场调研机构Trend Force的数据显示，长鑫存储目前基于晶圆投入的产能为每月28万片晶圆。虽然不及三星电子（每月65.5万片）和SK海力士（每月54.5万片）的一半，但与第三名美光（每月34万片）的差距已缩小至6万片。 有人说，长鑫存储与领先企业的技术差距已缩小至“一年左右”。例如，前不久长鑫存储在中国北京举办的展会上推出了DDR5、LPDDR5X等尖端DRAM单品以及采用该单品的7种模块化产品。这是长鑫存储首次正式推出DDR5和LPDDR5。 长鑫存储公布的DRAM性能分析显示，与三星电子和SK海力士持平。长鑫存储最新发布的DDR5内存最高传输速度达每秒8000兆比特，较前代产品提升25%。半导体行业专家表示：“即便搭配最尖端中央处理器（CPU）应用于最新服务器，其性能表现也毫不逊色。” 随着3D DRAM时代最早于2030年开启，中国实现逆袭的可能性也被提及。3D DRAM采用堆叠存储单元的结构设计，是DRAM企业在电路微细化技术瓶颈后，将重心转向技术研发的下一代产品。3D DRAM时代到来后，极紫外（EUV）光刻设备的需求将大幅降低。对于因美国出口管制导致EUV设备采购困难的中国企业而言，这可能成为新的发展机遇。