海力士重启中国NAND闪存工厂建设据报道，SK海力士正在重启其位于中国大连的第二座NAND闪存工厂（Fab 2）的建设，这将使其当地产能增加约50%。大连Fab 2的建设始于四年前，但因存储器市场低迷而长期停工。SK海力士计划在今年年底前开始安装半导体生产设备，并于明年上半年实现全面投产。

据8月11日半导体行业消息人士透露，SK海力士旗下的NAND业务子公司Solidigm已于今年上半年恢复对大连Fab 2的投资并重启建设。预计最早将于11月开始搬入生产设备，该工厂计划在明年上半年建立量产体系并开始生产NAND闪存。据报道，该新产线的设计月晶圆投片量约为5万片。加上现有大连Fab 1每月10万片的产能，这将使SK海力士在当地的产能提升约50%。

在经历了四年的停滞后，大连项目的投资再次推进，这主要得益于人工智能数据中心的扩张带动了企业级固态硬盘（SSD）需求的激增，从而将NAND价格推高至一年前水平的近10倍。SK海力士在2021年收购英特尔NAND业务后成立了Solidigm，接管了大连Fab 1及周边厂区，并于次年5月开始建设Fab 2。然而，存储器市场的低迷以及美国对华半导体制造设备出口的限制导致工程停滞，当时仅完成了工厂的结构框架。

随着大连Fab 2建设的推进，SK海力士正在实施NAND生产与销售的双轨策略。公司计划在大连利用成熟技术生产层数较低的NAND产品，同时将先进的高层数NAND产品的生产集中在韩国清州工厂。 预计大连工厂将专注于提升基于英特尔成熟浮栅（floating-gate）架构的百层级（100-layer-class）NAND 生产效率，而层数超过 300 层的 NAND 生产则预计将集中在韩国本土设施（如清州 M17 晶圆厂）进行。

该公司此前宣布将向清州 M17 晶圆厂投资 19.1 万亿韩元，计划于 2028 年底启用首个洁净室，并在此生产下一代 NAND 产品。一位业内人士表示：“大连二厂（Fab 2）计划采用与一厂（Fab 1）相同的设备配置。据我了解，其月度晶圆投片产能将在 4 万至 6 万片之间。”