【英特尔带来全球最薄氮化镓芯片】近日，英特尔公布了新的研究成果，基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，打造了全球最薄的氮化镓芯片，英特尔已经将硅衬底厚度缩减至19μm（微米）。同时，英特尔还实现了业界是个氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成，将复杂的计算功能直接嵌入到功率芯片里，无需分立辅助芯片，简化了架构，并降低了组件之间的能量损失。这一创新的需求源于现代电子行业的一个根本张力，即更紧凑的空间中容纳更多能力，而且能同时实现更高效的处理，提供更高的功率、速度和效率。经过英特尔的严格测试，显示GaN晶体管可承受高达78V的电压，并实现超过300GHz的射频截止频率，完全满足高频通信应用的需求。集成的数字逻辑库运行可靠，反相器开关速度快至33ps（皮秒），而且保持了高度的性能一致性，即便在高温高压环境下也能满足运行要求。