韩媒消息：长鑫键合DRAM实现芯片关键突破，彻底绕开EUV光刻机限制。传统DRAM存储与控制电路同片硅片，高端化依赖禁运EUV；新技术将存储、电路晶圆分开，仅用国产成熟DUV光刻机分别加工，再通过晶圆键合贴合堆叠，可制造大容量高速高端内存。合肥试验线已建成，集中研发力量力争先于三星、SK海力士量产。该技术打通存储设备卡脖子痛点，开辟无海外设备约束的国产存储路线；利好国内3D封装、混合键合设备厂商，现有DUV产线、光刻胶、抛光液等国产耗材需求持续扩容。
韩媒消息：长鑫键合DRAM实现芯片关键突破，彻底绕开EUV光刻机限制。传统DRAM存储与控制电路同片硅片，高端化依赖禁运EUV；新技术将存储、电路晶圆分开，仅用国产成熟DUV光刻机分别加工，再通过晶圆键合贴合堆叠，可制造大容量高速高端内存。合肥试验线已建成，集中研发力量力争先于三星、SK海力士量产。该技术打通存储设备卡脖子痛点，开辟无海外设备约束的国产存储路线；利好国内3D封装、混合键合设备厂商，现有DUV产线、光刻胶、抛光液等国产耗材需求持续扩容。
