按照目前的芯片行业经验，芯片工艺与光刻机是一一对应的。

比如浸润式DUV光刻机，主要用于7nm以上的芯片制造，最多采用多重曝光，能达到7nm的水平，再往下就难了。

而EUV光刻机，则用于7nm及以下工艺芯片的制造，比如5nm、4nm、3nm……这些。

所以美国卡住了EUV光刻机，不准ASML卖给中国，通过这个办法，美国认为可以卡住中国的芯片制造水平，不会超过7nm，甚至美国认为，或可以卡在14nm的水平。

因为采用浸润式DUV光刻机，是可以制造7nm芯片，但多重曝光，还需要其它设备配合，良率低，成本高，难度大，中国制造不出来。

但让人没有想到的是。

卡住EUV，中国芯片制造技术，也一样大突破了。

首先是我们利用DUV光刻机，搞定了7nm的芯片，采用多重曝光的方式，实现了N+1、N+2等工艺，完全不输台积电的7nm水平。

同时我们还在试产N+3工艺，这是等效5nm的芯片，如果说7nm工艺还能接受的话，那这个等效5nm工艺，肯定是美国万万没想到的。

更让美国郁闷的事情来了，华为提出了韬定律。

基于韬定律，华为根本就不需要EUV光刻机，利用逻辑折叠技术，可以让芯片的晶体管密度大幅度提升，进而使用DUV光刻机，能够制造出更强的芯片。

按照华为的预告，今年的麒麟芯片，可以达到等效3nm的水平，而到了2030年利用韬定律，即使没有EUV，只利用DUV光刻机，也能够达到等效1.4nm的水平。

为什么中国芯片进步会这么大，说真的，还真与美国的禁令有关。

如果美国不禁EUV，不封锁一些先进设备，中国更多的还是利用国外的设备，进行芯片的制造。

但美国禁了EUV，以及一些先进设备，中国只能想办法进行国产替代，同时想另外的招，绕过美国的封锁，于是就有了中芯、华为、中微、北方华创等企业的努力。

大家一起合作，研发出了各种先进的技术、设备进行国产替代，华为更是提出韬定律，换道超车，对摩尔定律进行补充完善，将国产芯片综合能力，整体向前迈进了一大步。

当然，可以肯定的是，虽然我们不用EUV也能够实现1.4nm水平的芯片，但国产光刻机的研发并并不会停下脚步，毕竟有了EUV，更是1+1>2跨越，中国芯片产业，正从从设计、设备、国产替代等各个领域，提高竞争力，减少对外依赖。