长鑫存储投产新一代键合式DRAM生产线，与韩国技术差距"远超预期"地加速缩小。韩媒报道长鑫存储键合式DRAM中试线测试，无需EUV，靠DUV多重曝光实现高密度存储，技术追赶三星、SK海力士速度超预期，中美管制下技术差距由5年缩至3年，合肥同步推进下一代产线，目标抢先韩企商业化。长鑫2026年Q1全球DRAM份额达8%，有望进入苹果供应链，20%产线转研HBM3/E；长江存储Xtacking堆叠专利领先，三星需向其签专利许可。国内同步布局CXL 3.0后HBM技术。韩学界警示国产存储是韩国产业最大威胁，国产存储若配套国产AI芯片，良率将快速提升；同时担忧未来国产产能扩张引发存储供给过剩。韩企虽在高层NAND量产领先，但晶圆键合专利储备落后中方。
