长鑫科技：2028年冲击40万片/月，跻身全球三甲

长鑫科技（长鑫存储）的三期工厂规划目前呈现出“现有三期建设”与“全新巨型项目启动”并行的态势。

1. 现有合肥三期项目（已启动建设）
该项目已经正式启动主体施工，主打生产DDR5、低功耗第五代内存（LPDDR5X）以及高带宽内存（HBM）产品，以适配AI服务器、智能手机等场景。
投资与产能：总投资超345亿元。规划专属HBM月产能5万片（2026年量产），整体月产能预计在2028年稳定达到40万片晶圆。
技术参数：DDR5产品最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb；LPDDR5X最高速率10667Mbps，功耗比上一代降低30%。

2. 全新“1126”巨型半导体项目（最新规划）
继长鑫科技上市后，合肥经开区规划启动了全新的“1126”项目，定位为下一座巨型半导体产业基地。
规模与投资：项目总占地约7000亩（其中长鑫核心厂区占地约2000亩，其余为配套运输等设施），对标国际主流12英寸DRAM存储晶圆基地，总投资预估达1500亿元。
时间节点：2026年下半年启动前期配套建设，2029年厂房建成并分批投产，2030年全面达产。
产能规划：三期规划月产能约十万片晶圆，与一期规模相近。

3. 整体产能扩张目标
除了上述合肥的规划，长鑫科技还在北京等地布局多座12英寸晶圆厂。综合来看，2026年长鑫计划扩产5万至6万片晶圆，预计2026年底整体月产能将达到33万至35万片，并在2028年冲击40万片/月，跻身全球前三行列。