半导体迎来技术突破，3D-DRAM路线可依托DUV绕开EUV

北方华创公布相关实验数据，验证了不依赖EUV极紫外光刻机，依靠DUV深紫外光刻机即可实现整套3D-DRAM工艺路线。

传统平面DRAM想要提升芯片密度，高度依赖EUV光刻机，而EUV设备面临外部封锁。3D-DRAM采用全新思路，不再追求把电路线条持续缩小，转而采用垂直堆叠结构，技术瓶颈转变为刻蚀设备，工艺环节主要使用DUV。

北方华创在实验室阶段的刻蚀工艺指标表现良好，说明国内存储芯片研发不再只能死磕平面微缩，开辟出换道追赶的新路径。相关论文证实，国内设备企业在3D-DRAM核心工艺环节，原理层面已经打通。

若这套工艺后续落地，形成成熟商用设备，长鑫存储可依托国产设备推进3D-DRAM研发，不必完全跟随海外平面工艺路线，打造自主技术方案。这是半导体国产替代进程中重要的一步。消息预计会带动半导体板块下周出现情绪冲高，但行情能否持续，取决于后续产业化落地的实际进展。以上仅为市场观点整理，不构成投资建议。技术从实验室走向量产周期漫长，存在不确定性，板块波动风险较高。