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第三代半导体爆发：SiC/GaN材料在新能源汽车、5G基站渗透率突破30%，西安电子科技大学原子级薄膜技术突破使器件性能提升40%

先进封装革命：Chiplet技术催生2.5D/3D封装需求，ABF载板、GMC材料用量激增

设备材料自主化：光刻胶、抛光垫等关键材料国产化率从15%提升至35%，至纯科技湿法设备进入台积电N3产线验证

注意：以下内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供交流研讨。

技术突破：全球唯一掌握12英寸硅单晶抛光片全流程技术，8英寸区熔硅单晶市占率达65%

产能释放：山东德州30万片/月12英寸厂Q3投产，预计贡献营收18亿元

估值优势：当前PE 32倍，低于行业平均45倍催化剂：3月15日将发布GaN外延片重大技术进展

产品矩阵：IGBT模块进入比亚迪DM-i供应链，SiC MOSFET良率突破85%

客户拓展：获得阳光电源2026年光伏逆变器80%份额

财务亮点：Q4毛利率提升至38.7%，创历史新高

技术里程碑：650V SiC SBD通过车规级AEC-Q101认证

材料创新：高频高速覆铜板Df值降至0.004，达到松下Megtron7水平

产能布局：珠海基地500万张/年高速板项目投产，打破罗杰斯垄断

下游突破：进入华为Mate60系列手机主板供应链

估值重构：机构预测2026年净利润同比增长120%

技术壁垒：光刻晶振精度达到±5ppm，打破日本NDK垄断

市场地位：全球车规级晶振市占率提升至18%

成长逻辑：MEMS振荡器量产，单价是传统晶振3倍

催化剂：特斯拉Cybertruck定点供应商

技术亮点：靶材绑定率突破99.99%，达到日矿金属水平

客户结构：中芯国际、长江存储占比超60%

产能规划：合肥基地2000吨/年高纯铜靶项目投产

估值预期：预计发行PE 28倍，显著低于江丰电子55倍

技术突破：14nm及以下光掩模版精度达±50nm

市场地位：国内平板显示掩模版市占率75%

成长路径：半导体掩模版收入占比从15%提升至35%

催化剂：获得三星Display 8.5代线订单

全产业链：从硅片到功率器件的垂直整合

技术亮点：12英寸轻掺硅片出货量突破100万片

客户突破：进入英伟达H200供应链

估值优势：滚动PE 35倍，低于沪硅产业68倍

技术壁垒：蚀刻引线框架精度达±2μm

市场地位：全球QFN引线框架市占率28%

成长逻辑：ABF载板用铜箔实现量产

催化剂：长江存储3D NAND扩产订单

材料平台：前驱体+SOD+光刻胶全布局

技术突破：28nm光刻胶通过中芯国际验证

客户结构：三星、海力士占比超50%

估值提升：机构预测2026年净利润同比增长95%

技术亮点：半导体掩模版CD精度达±30nm

市场地位：国内IC掩模版市占率12%

成长路径：28nm产品收入占比从5%提升至25%

估值预期：预计发行PE 32倍，低于路维光电45倍

设备突破：28nm湿法清洗设备通过华虹验证

市场地位：国内半导体清洗设备市占率22%

成长逻辑：单片式槽式设备收入占比提升至40%

催化剂：获得长江存储N+2产线订单

技术壁垒：12英寸石英环平整度达±1μm

市场地位：国内半导体石英制品市占率18%

成长路径：火加工产品收入占比从30%提升至55%

催化剂：通过中芯国际供应商认证

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