SemiAnalysis分析了华为麒麟9030，我重点关注了它对于制造工艺N+3的推断，有以下几个点：1、测试显示N+3 最小金属间距 32.5nm，小于 Intel 18A（36nm）；逻辑晶体管密度对标台积电 N6（6nm），是纯 DUV 无 EUV 下的极限密度成果。结论是华为仅靠3–4 重 DUV 多重曝光 + 设计工艺协同实现微缩，在DUV下做到了6纳米，做到极致了。2、金属间距单一指标不代表整体工艺水平。其晶体管开关速度、漏电、SRAM 密度、良率全面落后国际先进节点。多重曝光带来极高制造成本、更低良率（50%–60%，台积电 N6 良率 90%+）、更大片上热不均。有好有坏，都在预期之内。进步很大，在受限条件下做到了最好，但是在这条路线上追赶难度很大，既有困难也比较难以克服。所以华为才搞了韬定律，从第二条路线上往前追。韬定律横空出世有其必然性，也确实是现实可行的路子，基于这个路线的第一颗芯片2026年就要面世。半导体科技突围进入了第二阶段。