为了保持领先地位，韩国要在半导体存储技术标准上“卡位”其它国家。
据外媒报道称，SK海力士与美国闪迪（Sandisk）共同发布了下一代存储技术“高带宽闪存（HBF = High Bandwidth Flash）”的首个标准规范。随着人工智能（AI）推理的应用不断扩大，数据处理需求急剧增加，公司开始争夺市场主导权。

SK海力士在当地时间4日透露，将在4月4日至6日在美国加州圣克拉拉会议中心举办的全球最大存储会议“FMS（Future of Memory and Storage）2026”上，正式发布HBF标准规范。

HBF是位于高带宽存储器（HBM）和固态硬盘（SSD）之间的新型存储层技术。它结合了HBM的高带宽和NAND闪存的大容量存储能力，被视为适合大规模数据处理的存储技术。

此次规范是SK海力士与闪迪在去年8月开始HBF标准化合作，今年2月成立联盟后，大约6个月取得的首个成果。

标准规范采用了将NAND芯片（die = 从晶圆切割的单个芯片）堆叠为8层或16层的两种结构，支持最大512GB容量。数据传输速度从每秒约0.4TB到最大3.0TB，分为Grade 1到3三个等级。

用于连接处理器和HBF的接口采用了行业标准“UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）”，从而确保了与GPU或CPU等各种处理器的兼容性。

此次标准通过全球最大的开放数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）公开发布，为HBF作为行业开放标准的普及奠定了基础。

SK海力士还计划推动AI存储生态系统的扩大。目前，HBF联盟已有谷歌（Google）和加拿大公司Tenstorrent参与，未来还将增加更多成员，以提升技术成熟度和市场接受度。

在本次活动中，SK海力士将通过主题演讲和小组讨论，重点展示HBF作为解决AI时代存储瓶颈的核心技术。同时，还将首次公开面向AI基础设施开发的第10代（V10）375层4D NAND晶圆及产品。公司计划明年初开始量产采用该技术的高性能大容量企业级SSD（eSSD）。

SK海力士解决方案开发部门负责人金正松表示：“在AI快速普及的背景下，是时候重新设计整个数据处理结构了”，并补充道：“我们希望通过HBF扩展内存和存储的边界，为实现提升整个系统效率的新架构做出贡献。”